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宽温铌酸锂 普克尔斯盒

宽温铌酸锂普克尔斯盒是采用特殊掺杂(如掺镁MgO)或特殊设计的铌酸锂晶体为核心材料的电光调制器。它通过材料工程和光学设计,显著改善了传统铌酸锂晶体消光比随温度剧烈变化的核心问题,能够在更宽的工作温度范围内保持稳定、优异的光学性能。本产品是工业现场、户外设备、航空航天及任何温度控制不精确或变化剧烈的激光系 产品特点:

低插入损耗
高电光系数
透光范围宽
低波前畸变
高温稳定性
-60°C到+90°C稳定工作

产品应用:

工业激光设备
户外激光系统
国防与航空航天
科研与医疗设备

  • 产品说明
  • 产品参数

宽温铌酸锂普克尔斯盒是采用特殊掺杂(如掺镁MgO)或特殊设计的铌酸锂晶体为核心材料的电光调制器。它通过材料工程和光学设计,显著改善了传统铌酸锂晶体消光比随温度剧烈变化的核心问题,能够在更宽的工作温度范围内保持稳定、优异的光学性能。本产品是工业现场、户外设备、航空航天及任何温度控制不精确或变化剧烈的激光系统的理想解决方案。

核心优势与特点

  1. 卓越的温度稳定性

    • 核心优势:通过掺杂MgO等元素,有效抑制了晶体的“光折变效应”,使得晶体的半波电压和消光比在宽温度范围内(例如-40°C至+85°C)变化极小。

    • 解决痛点:彻底解决了传统LN普克尔斯盒因温度变化导致的性能衰减和激光系统不稳定的问题。

  2. 保持高消光比

    • 即使在极端温度下,依然能维持高消光比(通常 > 500:1),确保激光开关的对比度和控制精度。

  3. 高损伤阈值

    • 继承了铌酸锂晶体固有的高抗激光损伤能力,适用于高功率激光应用。

  4. 宽透光范围

    • 覆盖铌酸锂典型的350 nm ~ 4500 nm透光范围,尤其在可见光和近红外区域性能优异。

  5. 高速调制能力

    • 与传统LN一样,支持GHz级别的调制带宽,能够实现纳秒量级的快速响应。

技术挑战与解决方案

  • 传统LN的问题:纯铌酸锂晶体的消光比会随着温度变化而周期性波动,在某些温度点甚至会降至零,导致器件完全失效。这是由于晶体的自然双折射随温度变化所致。

  • 宽温LN的解决方案

    1. 材料掺杂:采用 5 mol% MgO:LiNbO₃(掺镁铌酸锂) 晶体。掺镁不仅大幅提高了晶体的抗光折变能力,也改善了其温度特性。

    2. “双晶体”补偿技术:将两块晶轴精确正交的LN晶体键合在一起,利用它们随温度变化产生的相位延迟相互补偿,从而在宏观上实现稳定的消光比。此技术也可与掺杂技术结合使用。

主要应用领域

  • 工业激光设备

    • 用于环境温度不可控或波动大的工业环境,如激光焊接、切割、打标设备的调Q开关,确保生产过程的长期稳定性和良品率。

  • 户外激光系统

    • 如激光雷达、激光通信、测距仪等,这些设备需要应对昼夜、四季的温差挑战,宽温设计至关重要。

  • 国防与航空航天

    • 机载、车载、星载激光系统,对器件的环境适应性和可靠性有极端要求,宽温普克尔斯盒是其中的关键部件。

  • 科研与医疗设备

    • 对于系统热管理设计复杂或空间有限的设备,宽温器件可以降低温控系统的要求和成本,提高系统集成度。

宽温铌酸锂普克尔斯盒不是一种简单的材料替换,而是针对特定市场痛点的技术升级和可靠性解决方案。它牺牲了一部分成本优势,换来了在复杂环境下无与伦比的稳定性和可靠性,极大地拓展了铌酸锂电光技术在高端工业和特种领域的应用边界。

宽温铌酸锂普克尔斯盒.png

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